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    本季度三星打算停止生产B-die内存颗粒，这是一种在超频能力上非常突出的内存零配件，DRAM模块制造商通常使用三星的B-die 8 Gb内存芯片来组装超频能力最强的内存。

　　三星将继续使用其10纳米级工艺技术生产C-die和D-die 8 Gb内存芯片。通常官方会建议用其制造DDR4-3200和DDR4-3600，同样适用于高端内存模块，但并非所有DIMM制造商都将它们用于顶级产品，尤其是与B-die相比。同时，三星还列出了采用10纳米级工艺技术制造的16 Gb A-die存储器件，这些器件用于构建服务器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存储器模块。

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